Эксперт

Сергей

Задать вопрос

Мы готовы помочь Вам.

Вариант 1.
1. Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия
которого не превышает 10эВ.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости
полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения
п/п лазера 700нм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника,
если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное
сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура
образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p+-n переходе на
германиевой базе при комнатной температуре, если акцепторная примесь
превышает донорную в 1,5 раза, а концентрация донорной примеси 1015
см-3. Концентрация собственных носителей в германии 2,4∙1013.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей
базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное
сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
Вариант 2.
1. Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 50К выше комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,85 мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на симметричном p-n переходе на кремниевой базе при комнатной температуре, концентрация донорной примеси 1012 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 1,4∙1010.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
Вариант 3
1. Оценить (в МэВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 10 ферми.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при уменьшении температуры в 1,15 раза, его удельное сопротивление увеличилось в шесть раз. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p-n+ переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3. Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим коллектором, если коэффициент усиления по току равен 36, а входное сопротивление составляет 10Ом (Ku=55).
Вариант 4
1. Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 50К выше комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,85 мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при уменьшении температуры в 1,15 раза, его удельное
сопротивление увеличилось в шесть раз. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p-n+ переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3. Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим коллектором, если коэффициент усиления по току равен 36, а входное сопротивление составляет 10Ом (Ku=55).
Вариант 5
1. Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при уменьшении температуры в 1,15 раза, его удельное сопротивление увеличилось в шесть раз. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p+-n переходе на германиевой базе при комнатной температуре, если акцепторная примесь превышает донорную в 1,5 раза, а концентрация донорной примеси 1015 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 2,4∙1013.
5. E1 Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
Вариант 6
1. Оценить (в МэВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 10 ферми.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 50К выше комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,85 мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p+-n переходе на германиевой базе при комнатной температуре, если акцепторная примесь превышает донорную в 1,5 раза, а концентрация донорной примеси 1015 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 2,4∙1013.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
Вариант 7
1. Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 50К выше комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,85 мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на симметричном p-n переходе на кремниевой базе при комнатной температуре, концентрация донорной примеси 1012 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 1,4∙1010.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
Вариант 8
1. Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p+-n переходе на германиевой базе при комнатной температуре, если акцепторная примесь превышает донорную в 1,5 раза, а концентрация донорной примеси 1015 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 2,4∙1013.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
Вариант 9
1. Оценить (в МэВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 10 ферми.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное
сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на симметричном p-n переходе на кремниевой базе при комнатной температуре, концентрация донорной примеси 1012 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 1,4∙1010.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
Вариант 10
1. Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p-n+ переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3. Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим коллектором, если коэффициент усиления по току равен 36, а входное сопротивление составляет 10Ом (Ku=55).
Вариант 11
1. Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p-n+ переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3. Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
Вариант 12
1. Оценить (в МэВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 10 ферми.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 50К выше комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,85 мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на симметричном p-n переходе на кремниевой базе при комнатной температуре, концентрация донорной примеси 1012 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 1,4∙1010.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
Вариант 13
1. Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на симметричном p-n переходе на кремниевой базе при комнатной температуре, концентрация донорной примеси 1012 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 1,4∙1010.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
Вариант 14
1. Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное
сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p-n+ переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3. Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим коллектором, если коэффициент усиления по току равен 36, а входное сопротивление составляет 10Ом (Ku=55).
Вариант 15
1. Оценить (в МэВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 10 ферми.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при уменьшении температуры в 1,15 раза, его удельное сопротивление увеличилось в шесть раз. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p+-n переходе на германиевой базе при комнатной температуре, если акцепторная примесь превышает донорную в 1,5 раза, а концентрация донорной примеси 1015 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 2,4∙1013.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим коллектором, если коэффициент усиления по току равен 36, а входное сопротивление составляет 10Ом (Ku=55).
Вариант 16
1. Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм..
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на симметричном p-n переходе на кремниевой базе при комнатной температуре, концентрация донорной примеси 1012 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 1,4∙1010.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
Вариант 17
1. Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p-n+ переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3. Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
Вариант 18
1. Оценить (в МэВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 10 ферми.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 50К выше комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,85 мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при уменьшении температуры в 1,15 раза, его удельное сопротивление увеличилось в шесть раз. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p-n+ переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3. Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
Вариант 19
1. Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное
сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p+-n переходе на германиевой базе при комнатной температуре, если акцепторная примесь превышает донорную в 1,5 раза, а концентрация донорной примеси 1015 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 2,4∙1013.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
Вариант 20
1. Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при уменьшении температуры в 1,15 раза, его удельное сопротивление увеличилось в шесть раз. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на симметричном p-n переходе на кремниевой базе при комнатной температуре, концентрация донорной примеси 1012 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 1,4∙1010.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим коллектором, если коэффициент усиления по току равен 36, а входное сопротивление составляет 10Ом (Ku=55).
Вариант 21
1. Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p+-n переходе на германиевой базе при комнатной температуре, если акцепторная примесь превышает донорную в 1,5 раза, а концентрация донорной примеси 1015 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 2,4∙1013.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
Вариант 22.
1. Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 50К выше комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,85 мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на симметричном p-n переходе на кремниевой базе при комнатной температуре, концентрация донорной примеси 1012 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 1,4∙1010.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
Вариант 23
1. Оценить (в МэВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 10 ферми.
2. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм.
3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при уменьшении температуры в 1,15 раза, его удельное сопротивление увеличилось в шесть раз. Начальная температура образца Т = 300 К.
4. Определите высоту потенциального барьера на p-n+ переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3. Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
5. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим коллектором, если коэффициент усиления по току равен 36, а входное сопротивление составляет 10Ом (Ku=55).
Вариант 24
6. Оценить (в МэВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 10 ферми.
7. Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 50К выше комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,85 мкм.
8. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при уменьшении температуры в 1,15 раза, его удельное сопротивление увеличилось в шесть раз. Начальная температура образца Т = 300 К.
9. Определите высоту потенциального барьера на p-n+ переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3. Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
10. Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).